Le semi-conducteur dispense une lumière pulsée consommant 320 mW, au lieu des 130 mW coutumiers, mais affiche une stabilité de fonctionnement d'environ 1 000 heures. L'intensité du laser est de 260 mA avec une tension de 5 V (35 mA et 3,7 V habituellement) et affiche une température de 80 degrés Celsius. Même si cette évolution technologique s'avère d'un grand intérêt, il faudra attendre que le matériel et les média suivent. Nichia envisage le lancement de la production en masse dans le courant de la seconde moitié de l'année 2008



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